Qualcomm Snapdragon X Elite (X1E-84-100)
Qualcomm Snapdragon X Elite (X1E-84-100) 是由 Qualcomm 推出的笔记本级 SOC 产品,采用 Qualcomm 官方公布的 4 nm 制程工艺,于 2023 年 10 月发布。产品采用 12 核 12 线程架构设计,基础频率为 3.8 GHz,最高睿频可达 4.2 GHz,热设计功耗(TDP)为 80 W,并配备 42 MB 三级缓存,使用 Custom 插槽,整体规格面向笔记本应用场景。
制程
4 nm
总核心数
12
性能核线程
12
最大睿频功耗
80 W
性能核基础频率
3.8 GHz
功耗
23 W
三级缓存
42 MB
插槽
Custom
基本参数
发行日期
2023年10月
厂商
Qualcomm
类型
笔记本
指令集
i
ARMv9
内核架构
Snapdragon X
处理器编号
X1E-84-100
核芯显卡
i
Qualcomm Adreno X1
封装
制程
4 nm
插槽
Custom
功耗
23 W
最大睿频功耗
80 W
CPU性能
性能核
12
性能核线程
12
性能核基础频率
3.8 GHz
性能核睿频
4.2 GHz
总核心数
12
总线程数
12
倍频
38x
三级缓存
42 MB
非锁频
否
内存参数
内存类型
LPDDR5x-8448
最大内存大小
64 GB
最大内存通道数
8
最大内存带宽
135 GB/s
支持 ECC 内存
否
显卡参数
核显芯片
是
显卡基本频率
500 MHz
显卡最大动态频率
1500 MHz
着色器数量
i
1536
纹理单元
i
48
光栅处理单元
i
6
执行单元
6
AI加速
NPU
Qualcomm Hexagon NPU
理论性能
45 TOPS
其他
官网链接
PCIe版本
i
4.0