Qualcomm Snapdragon X Elite
Qualcomm Snapdragon X Elite 是由 Qualcomm 推出的笔记本级 SOC 产品,采用 Qualcomm 官方公布的 4 nm 制程工艺,于 2023 年 10 月发布。产品采用 12 核 12 线程架构设计,基础频率为 3.8 GHz,最高睿频可达 4.3 GHz,热设计功耗(TDP)为 80 W,并配备 42 MB 三级缓存,整体规格面向笔记本应用场景。
制程
4 nm
总核心数
12
性能核线程
12
最大睿频功耗
80 W
性能核基础频率
3.8 GHz
功耗
23-65 W
三级缓存
42 MB
最大内存带宽
135 GB/s
基本参数
发行日期
2023年10月
厂商
Qualcomm
类型
笔记本
指令集
i
Arm-64
内核架构
Oryon
处理器编号
Snapdragon X Elite
核芯显卡
i
Adreno
世代
Oryon
封装
制程
4 nm
功耗
23-65 W
最大睿频功耗
80 W
晶圆厂
Samsung TSMC
晶圆尺寸
mm²
CPU性能
性能核
12
性能核线程
12
性能核基础频率
3.8 GHz
性能核睿频
4.3 GHz
总核心数
12
总线程数
12
总线频率
100 MHz
三级缓存
42 MB
非锁频
否
对称多处理
1
内存参数
内存类型
LPDDR5x-8448
最大内存大小
64 GB
最大内存通道数
2
最大内存带宽
135 GB/s
支持 ECC 内存
否
显卡参数
核显芯片
是
其他
官网链接
PCIe版本
i
4.0